III族窒化物素子及びIII族窒化物エピタキシャル基板

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-270758
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077835
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】特にAlを含むIII族窒化物膜から構成される素子の転位量を低減させてその結晶性を向上させるともに、前記素子を構成するに際して好適に用いることのできるエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】所定の基材1上にIII族窒化物下地層2、超格子構造3、及びIII族窒化物層群5をこの順に形成する。基材1、III族窒化物下地層2、及び超格子構造3はエピタキシャル基板4を構成する。超格子構造3は、複数のIII族窒化物膜が積層されるとともに、隣接する前記III族窒化物膜のAl組成差が10原子%以上である。

請求項（抜粋）：

所定の基材と、III族窒化物下地層と、超格子構造と、III族窒化物層群とを含み、前記III族窒化物下地層は少なくともAlを含むとともに、前記超格子構造は複数のIII族窒化物膜が積層されてなり、前記超格子構造の、隣接する前記III族窒化物膜のAl組成差が10原子%以上であることを特徴とする、III族窒化物素子。

IPC (2件)：

H01L 21/20 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 33/00 C

Fターム (13件)：

5F041CA04 , 5F041CA08 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA85 , 5F041CA87 , 5F052DA04 , 5F052DB01 , 5F052HA08 , 5F052JA07 , 5F052KA02 , 5F052KA05

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-193366 出願人：株式会社東芝
特開平3-203388
窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-292304 出願人：日亜化学工業株式会社

全件表示

前のページに戻る