特許
J-GLOBAL ID：200903033101475566
誘導結合型プラズマエッチング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-104756
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299306
出願日： 1999年04月13日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 酸化膜等をエッチングする際にエッチングマスクの有機系フォトレジスト膜に対する酸化膜の選択性を向上させる構造を備えた誘導結合型プラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】 本誘導結合型プラズマエッチング装置のプロセスチャンバ30は、従来の装置の構成に加えて、天井壁32から僅かに離隔して平行に延在するSi又はSiCからなるプレート34と、プレート34に400KHzから800KHzの範囲の低周波数電圧を印加する低周波電源36とを備えている。天井壁32上に設けられたスパイラル状の誘電コイルは、コイル形状、コイル巻線の巻線数及び断面積が、従来の装置に設けた誘電コイル16と同じコイル形状及び巻線数であるものの、幅Wが高さHより長い断面形状を備えている。エッチング中、プレート36に低周波電圧を印加することにより、フロロカーボン系のガスをエッチングガスとして酸化膜をエッチングする際にも、有機系フォトレジスト膜に対する酸化膜の選択性が向上し、所望のパターンで精度高く酸化膜をパターニングすることができる。
請求項（抜粋）：
プラズマが発生するエッチングチャンバと、エッチングチャンバの天井壁上に設けられたスパイラル状の誘電コイルと、誘電コイルに高周波電圧を印加する高周波電源とを備え、エッチングチャンバ内に収容したウエハにプラズマエッチングを施す誘導結合型プラズマエッチング装置において、Si又はSiCからなるプレートを天井壁の直下に備えるか、又は天井壁の少なくとも一部ををSi又はSiCからなるプレートで形成し、かつ誘電コイルのコイル巻線の断面の幅が、断面の高さより広いことを特徴とする誘導結合型プラズマエッチング装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
, H05H 1/46 L
4K057DA13
, 4K057DB06
, 4K057DD01
, 4K057DE06
, 4K057DM17
, 4K057DM18
, 4K057DM39
, 4K057DM40
, 5F004AA02
, 5F004BA20
, 5F004BB11
, 5F004BB13
, 5F004BB29
, 5F004BB32
, 5F004CA03
, 5F004DA00
, 5F004DB00
, 5F004DB01
, 5F004DB03
