特許
J-GLOBAL ID：200903033117254918
半導体装置における微小コンタクト領域、高性能相変化メモリセル及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-353352
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174144
出願日： 2002年12月05日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 微小コンタクト構造を有する高性能相変化メモリセルを提供する。【解決手段】 コンタクト構造は第1方向に第1サブリソグラフィック寸法の第1の薄膜部分を有する第1伝導性領域と、前記第1方向を横断する第2方向で第2サブリソグラフィック寸法の第2の薄膜部分を有する第2伝導性領域を含む。第1と第2の薄膜部分は直接電気的に接触し、サブリソグラフィック延長部を有する接触面を構成する。薄膜部分はリソグラフィではなくデポジションを用いて形成する。第1の薄膜部分は第1誘電体層内の開口部の壁に堆積される。第2の薄膜部分は、第1限界層の垂直壁に犠牲領域を付着し、犠牲領域の堆積のない側面に第2限界層を付着し、その後犠牲領域を取り除き、モールド層内のモールド開口部エッチング用のサブリソグラフィック開口部を形成し、モールド開口部を充填することにより形成する。
請求項（抜粋）：
第1方向に第1サブリソグラフィック寸法を有する第1の薄膜部分を含む第1伝導性領域と、前記第1方向を横断する第2方向に第2サブリソグラフィック寸法を有する第2の薄膜部分を含む第2伝導性領域とを備え、前記第1及び第2の伝導性領域が、前記第1及び第2の薄膜部分と直接電気的に接触し、サブリソグラフィック伸張部を有する接触面を構成することを特徴とする電子半導体装置におけるコンタクト構造。
Fターム (11件)：
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA53
, 5F083JA60
, 5F083NA01
, 5F083PR09
, 5F083PR40
