特許
J-GLOBAL ID：200903033118261250
半導体メモリ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-292354
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126883
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 誘電性薄膜の特性劣化が極めて少なく安定性の高い半導体メモリ素子を提供する。【解決手段】 Pt上部電極12上にはTaSiNバリアメタル層13を形成している。このTaSiNバリアメタル層13は、導電性および水素ガス遮断性を有して酸化物強誘電体薄膜(SBT薄膜)11結晶化のための焼成の際にも結晶化せず高温域で安定なアモルファス構造を維持する。そして、後に第2層間絶縁膜15を形成する際に発生する水素ガスの酸化物強誘電体薄膜11への侵入を確実に遮断して、水素ガスによる酸化物強誘電体薄膜11の特性劣化を防止する。
請求項（抜粋）：
下部電極,酸化物高誘電体薄膜あるいは酸化物強誘電体薄膜,上部電極を含むキャパシタと、上記キャパシタ上に、導電性および水素ガス遮断性を有し、且つ、高温域で安定なアモルファス構造を有するバリア層を備えたことを特徴とする半導体メモリ素子。
IPC (7件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, G11C 11/22
, H01L 27/10 451
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 651
, G11C 11/22
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 621 B
, H01L 29/78 371
