特許
J-GLOBAL ID：200903033153999784

膜厚評価方法、研磨終点検出方法およびデバイス製造装置

発明者：
藤掛 伸二

藤掛 伸二 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-053947
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244047
出願日： 2004年02月27日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】 膜の研磨中の膜厚を正確に評価する。【解決手段】 ウエハ10上に形成されている酸化膜をCMPによって研磨する際に、分光反射率測定装置7を用いて酸化膜表面に光を照射して反射スペクトルを取得し、コンピュータ8を用いて適当な時間差△tを隔てた研磨時間t,t-△tの反射スペクトルについてそれらの差分信号を求め、その差分信号を光学モデルを用いて解析することによって酸化膜の研磨時間tにおける膜厚を導出する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
膜の研磨中の膜厚を評価する膜厚評価方法において、 膜の研磨中に前記膜の表面に光を照射して時間差△tを隔てた研磨時間tおよび研磨時間t-△tの反射スペクトルの差分信号を求め、前記差分信号を解析することによって前記研磨時間tにおける前記膜の膜厚を導出することを特徴とする膜厚評価方法。
IPC (4件)：
H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B49/02 ,  B24B49/12
FI (4件)：
H01L21/304 622S ,  B24B37/04 K ,  B24B49/02 Z ,  B24B49/12
Fターム (14件)：
3C034AA19 ,  3C034BB93 ,  3C034CA02 ,  3C034CA05 ,  3C034CB01 ,  3C034DD01 ,  3C034DD10 ,  3C058AA07 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM