特許
J-GLOBAL ID：200903033201497281
金属的カーボンナノチューブの分離方法ならびに半導体的カーボンナノチューブ薄膜の製造方法ならびに薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-219845
公開番号（公開出願番号）：特開2007-031238
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】 簡便な方法で金属的カーボンナノチューブを半導体的カーボンナノチューブから効率的に分離することができる方法およびこの方法を用いた半導体的カーボンナノチューブ薄膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体的カーボンナノチューブと金属的カーボンナノチューブとの混合物を液体中に分散させ、金属的カーボンナノチューブを粒子と選択的に結合させ、粒子と結合した金属的カーボンナノチューブを除去することにより、金属的カーボンナノチューブを半導体的カーボンナノチューブから分離する。得られる半導体的カーボンナノチューブを用いて基板上に半導体的カーボンナノチューブ薄膜を形成する。この半導体的カーボンナノチューブ薄膜をチャネル材料に用いてカーボンナノチューブTFTを作製する。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
半導体的カーボンナノチューブと金属的カーボンナノチューブとの混合物を液体中に分散させる工程と、
上記金属的カーボンナノチューブを粒子と選択的に結合させる工程と、
上記粒子と結合した上記金属的カーボンナノチューブを除去する工程と
を有することを特徴とする金属的カーボンナノチューブの分離方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B31/02 101F
, H01L29/78 618B
4G146AA11
, 4G146AC03B
, 4G146AD30
, 4G146BA04
, 4G146CA01
, 4G146CA15
, 4G146CB17
, 5F110AA05
, 5F110AA30
, 5F110CC01
, 5F110CC07
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110GG01
, 5F110GG42
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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