特許
J-GLOBAL ID:200903050544958006
電子素子、集積回路およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (7件):
中村 智廣
, 成瀬 勝夫
, 小泉 雅裕
, 青谷 一雄
, 井出 哲郎
, 片岡 忠彦
, 鳥野 正司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-280374
公開番号(公開出願番号):特開2005-045188
出願日: 2003年07月25日
公開日(公表日): 2005年02月17日
要約:
【課題】 環境負荷が少なく、半導体特性に優れた輸送層を備えた電子素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 基体12の表面に、少なくとも、複数のカーボンナノチューブが相互に架橋した網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体層14により構成された輸送層を備える電子素子、並びに、基体12の表面に、官能基を有するカーボンナノチューブを含む溶液を塗布する塗布工程と、塗布後の前記溶液を硬化して、輸送層として用いられ、前記複数のカーボンナノチューブが相互に架橋した網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体層14を形成する架橋工程とを含む電子素子の製造方法である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
3以上の複数の電極と、
複数のカーボンナノチューブ、および、異なる前記カーボンナノチューブ間を化学結合で架橋する架橋部位、によって網目構造に形成されたカーボンナノチューブ構造体から構成される層であって、前記複数の電極に印加された電圧に応じてキャリアが輸送される輸送層と、
を備えることを特徴とする電子素子。
IPC (8件):
H01L29/06
, B82B1/00
, C01B31/02
, H01L21/336
, H01L21/338
, H01L29/786
, H01L29/812
, H01L51/00
FI (7件):
H01L29/06 601N
, B82B1/00
, C01B31/02 101F
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 627C
, H01L29/80 B
, H01L29/28
Fターム (36件):
4G146AA11
, 4G146AA12
, 4G146AB07
, 4G146AC03B
, 4G146AD30
, 4G146BA13
, 4G146BC02
, 4G146BC32B
, 5F102GA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GL05
, 5F102GL10
, 5F102GS03
, 5F102GV07
, 5F102GV08
, 5F110AA14
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE03
, 5F110EE43
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF27
, 5F110GG01
, 5F110GG42
, 5F110GG57
, 5F110GG58
, 5F110HK02
, 5F110HK32
, 5F110QQ04
引用特許:
出願人引用 (3件)
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電界効果トランジスタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-204182
出願人:日本電気株式会社
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重合体コンポジット
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-295899
出願人:東レ株式会社
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官能化されたナノチューブ
公報種別:公表公報
出願番号:特願平9-531955
出願人:ハイピリオンカタリシスインターナショナルインコーポレイテッド
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