特許
J-GLOBAL ID：200903033233470601

薄膜形成方法、および電子機器

発明者：
古沢 昌宏

古沢 昌宏 について

, 
下田 達也

下田 達也 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-398535
公開番号（公開出願番号）：特開2002-275629
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：
【要約】【課題】大掛かりな真空排気装置や無害化処理装置が不要であり、薄膜形成後のパターニング工程が不要な、CVD法による薄膜形成方法を提供する。【解決手段】第2基板7の薄膜形成面71に、(ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロ)デシル-トリエトキシシランを用いて、単分子膜からなるパターン30aを形成する。第1基板8の上面81の複数箇所に、トリメチルアルミニウムからなる液滴5を配置する。この液滴5の配置は、単分子膜パターン30aの開口部31に対応させた位置に行う。両基板7,8を所定間隔を開けて平行に配置し、開口部31と液滴5の位置を合わせる。両基板7,8の間に窒素ガスを流しながら、第2基板7を300°Cに加熱して5分間保持する。これにより、液滴5が気化して開口部31内に供給され、この部分に熱により分解されたアルミニウムが堆積してアルミニウム薄膜50が形成される。
請求項（抜粋）：
化学気相成長法で薄膜を形成する方法において、基板上の一部分または複数部分に薄膜原料を含む液体を配置し、この液体から薄膜原料を気化させて薄膜形成面の一部分または複数部分に供給することにより、当該薄膜形成面に薄膜を所定パターンで形成することを特徴とする薄膜形成方法。
Fターム (9件)：
4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BB14 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030DA05 ,  4K030EA04 ,  4K030FA08 ,  4K030FA10
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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