特許
J-GLOBAL ID：200903033233864650

モニタリング方法、製造装置、及び製造システム

発明者：
関口 誓子

関口 誓子 について

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今井 伸一

今井 伸一 について

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田口 真貴

田口 真貴 について

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福田 宗一

福田 宗一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-122840
公開番号（公開出願番号）：特開2005-307239
出願日： 2004年04月19日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 膜形成を行なう製造装置において、プロセスガス供給の異常を迅速に検出できる半導体製造装置のモニタリング方法、及び製造システムを提供する。【解決手段】 製造装置においてリアルタイムで製造パラメータのアナログデータを取得し、モニタリングする。そしてパラメータAが予め設定された値L1に達するまでの過渡時間Mと、パラメータBが予め設定された値L3に達するまでの過渡時間Nとをモニタリングする。また、パラメータAのしきい値L2とパラメータBのしきい値L4、パラメータAのしきい値確認時間XとパラメータBのしきい値確認時間Yを設定することによりそれぞれの設定値L1,L3への到達が認識でき、これにより、パラメータAとパラメータBの相関を算出させた仮想センサーをモニタリングする。仮想センサーに予め規格範囲Eを設定し、この範囲を連続X秒外れた際にアラームGを発報することもできる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1のガスと、上記第1のガスと反応して物質膜を堆積させる第2のガスとを用いて上記物質膜を形成する製造装置を、上記製造装置から得たデータを演算するデータ1次整理装置によってモニタリングするモニタリング方法であって、 上記物質膜の形成時に、上記製造装置の第1のパラメータが第1の状態から予め設定された第2の状態に達するまでの時間が第1の設定範囲から外れているか否かを監視するステップ(a)と、 上記物質膜の形成時に、上記製造装置の第2のパラメータが第3の状態から予め設定された第4の状態に達するまでの時間が第2の設定範囲から外れているか否かを監視するステップ(b)と を含んでいる、モニタリング方法。
IPC (5件)：
C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316
FI (5件)：
C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C ,  H01L21/316 B
Fターム (17件)：
4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030HA15 ,  4K030JA05 ,  4K030LA15 ,  4M104BB18 ,  4M104DD43 ,  5F045AA03 ,  5F045AB01 ,  5F045AB06 ,  5F045GB04 ,  5F045GB20 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF02 ,  5F058BF36
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)
  • 制御装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-266123   出願人：三菱電機株式会社

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