高出力ダイヤモンド半導体素子

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-217414
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054641
出願日： 2007年08月23日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：

【課題】電極縁辺の電界集中を抑えることが可能となり、高電界でも低リーク電流で高い電圧まで動作するダイヤモンド素子を提供する。【解決手段】ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとするショットキー電極、ダイヤモンドp-ドリフト層、ダイヤモンドp+オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極とダイヤモンドp-ドリフト層の接合面の一部に、pn接合層を設けることを特徴とする高出力ダイヤモンド半導体素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとするショットキー電極、ダイヤモンドp-ドリフト層、ダイヤモンドp+オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極とダイヤモンドp-ドリフト層の接合面の一部に、pn接合層を設けることを特徴とする高出力ダイヤモンド半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (2件)：

H01L29/48 D , H01L29/48 E

Fターム (8件)：

4M104AA10 , 4M104FF31 , 4M104FF35 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG07 , 4M104GG12 , 4M104HH18

引用特許：

審査官引用 (5件)

耐圧周縁端部構造を備えた半導体デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-505354 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開平4-067527
MIS型電界効果トランジスタ及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-134975 出願人：ソニー株式会社

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