高電圧GaNトランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-245497
公開番号（公開出願番号）：特開2008-131031
出願日： 2007年09月21日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：

【課題】より高い破壊電圧およびより低いオン抵抗を含み、高周波数において十分に機能するパワースイッチングデバイスを提供する。【解決手段】多重フィールドプレートトランジスタが、活性領域、ならびにソース、ドレイン、およびゲートを含む。第1のスペーサ層が、活性領域の上方でソースとゲートの間にあり、第2のスペーサ層が、活性領域の上方でドレインとゲートの間にある。第1のスペーサ層上の第1のフィールドプレート、及び第2のスペーサ層上の第2のフィールドプレートが、ゲートに接続される。第3のスペーサ層が、第1のスペーサ層、第2のスペーサ層、第1のフィールドプレート、ゲート、および第2のフィールドプレート上にあり、第3のフィールドプレートが、第3のスペーサ層上にあり、ソースに接続される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

多重フィールドプレートトランジスタであって、活性領域と、前記活性領域と電気的に接触しているソース電極と、前記活性領域と電気的に接触しているドレイン電極と、前記活性領域と電気的に接触している、前記ソースと前記ドレインの間のゲートと、前記活性領域の上方で前記ソースと前記ゲートの間に配設された第1の絶縁性スペーサ層と、前記活性領域の上方で前記ドレインと前記ゲートの間に配設された第2の絶縁性スペーサ層と、前記ソースと前記ゲートの間にある前記第1のスペーサ層上に配設され、前記ゲートに電気的に接続され、前記ソースに向かって延びる第1の導電性フィールドプレートと、前記ドレインと前記ゲートの間にある前記第2のスペーサ層上に配設され、前記ゲートに電気的に接続され、前記ドレインに向かって延びる第2の導電性フィールドプレートと、前記第1のスペーサ層、前記第2のスペーサ層、前記第1のフィールドプレート、前記ゲート、および前記第2のフィールドプレート上で、前記ソースと前記ドレインの間に配設された第3の絶縁性スペーサ層と、前記第3のスペーサ層上に、前記ゲート、前記第2のフィールドプレート、および前記第2のスペーサ層の上方で配設され、前記ソースに電気的に接続され、前記ドレインに向かって延びる第3の導電性フィールドプレートとを備えたことを特徴とする多重フィールドプレートトランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/06 , H01L 29/41 , H01L 21/28

FI (6件)：

H01L29/80 H , H01L29/80 L , H01L29/80 F , H01L29/06 301F , H01L29/44 Y , H01L21/28 301B

Fターム (46件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB22 , 4M104CC00 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104EE01 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF07 , 4M104FF10 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ05 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR06 , 5F102GS04 , 5F102GS06 , 5F102GS07 , 5F102GV05 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102GV09

引用特許：

出願人引用 (30件)

米国特許第5,192,987号明細書
米国特許第5,393,993号明細書
米国特許第5,523,589号明細書

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審査官引用 (6件)

直交変換回路、電力変換装置、及び、発電システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-055807 出願人：大阪瓦斯株式会社
MOSデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-060383 出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
テーパ状単位セル金属酸化物半導体高電圧デバイス構造
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-503478 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ

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