ゲート-ソースフィールドプレートを含むワイドバンドギャップトランジスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-500703
公開番号（公開出願番号）：特表2008-533717
出願日： 2006年01月11日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：

本発明に係るトランジスタは、チャネル層を有する活性領域を含み、この活性領域と接触してソースおよびドレイン電極が形成され、このソース電極とドレイン電極との間にあって活性領域と接触したゲートが形成される。ゲートとドレイン電極との間およびゲートとソース電極との間の複数の活性領域の表面の少なくとも一部分上にスペーサ層がある。このスペーサ層上にはフィールドプレートがあり、活性領域の上のスペーサ上をドレイン電極に向かって延びる。このフィールドプレートはさらに、活性領域の上のスペーサ層上をソース電極に向かって延びる。少なくとも1つの導電性経路が、フィールドプレートをソース電極またはゲートに電気的に接続する。

請求項（抜粋）：

チャネル層を有する活性領域と、前記活性領域と接触したソースおよびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にあって、前記活性領域と接触したゲートと、前記ゲートと前記ドレイン電極との間および前記ゲートと前記ソース電極との間の前記活性領域の表面の少なくとも一部分上にあるスペーサ層と、前記スペーサ層上にあって、前記活性領域の上の前記スペーサ上を前記ドレイン電極に向かって延び、前記活性領域の上の前記スペーサ層上を前記ソース電極に向かって延びるフィールドプレートと、前記フィールドプレートを前記ソース電極または前記ゲートに電気的に接続する少なくとも1つの導電性経路とを含むことを特徴とするトランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/06 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/41

FI (5件)：

H01L29/80 H , H01L29/06 301F , H01L21/28 301B , H01L29/50 J , H01L29/44 Y

Fターム (30件)：

4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB22 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104FF10 , 4M104GG12 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL02 , 5F102GL04 , 5F102GN01 , 5F102GQ01 , 5F102GR12 , 5F102GV05 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (15件)

米国特許第5192987号明細書
米国特許第5739554号明細書
米国特許第6316793号明細書

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審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-098033 出願人：富士通カンタムデバイス株式会社
半導体装置及び送受信切り替え型アンテナスイッチ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-033221 出願人：沖電気工業株式会社
電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-253342 出願人：株式会社東芝

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