特許
J-GLOBAL ID：200903033271490365
半導体発光素子、その製造方法及びその駆動方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-335948
公開番号（公開出願番号）：特開2002-204029
出願日： 2001年11月01日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 低出力時においても相対雑音強度が小さい半導体発光素子を実現できるようにする。【解決手段】 n型GaN基板1Aの上には、n型GaNからなるnコンタクト層2、n型AlGaNクラッド層、n型GaNガイド層、InGaNからなる発光層3を含むn型半導体層と、p型GaNガイド層、p型AlGaNクラッド層、及び厚さが1μm程度のpコンタクト層4を含むp型半導体層とから構成される半導体積層体が形成されている。半導体積層体の上部のpコンタクト層4には膜厚が他の部分よりも厚い領域6が形成されている。これにより、pコンタクト4層のキャビティの反射端面側が低出力動作時に光吸収領域となり、キャビティに対する不均一な電流注入が実現される。
請求項（抜粋）：
基板上に形成され、発光層及び電極コンタクト層を含む半導体積層体と、前記電極コンタクト層の上に形成された電極とを備え、前記電極コンタクト層は、前記電極の下側の厚さが部分的に異なることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/22
, H01S 5/323 610
H01S 5/22
, H01S 5/323 610
5F073AA04
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA61
, 5F073BA05
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA24
, 5F073DA30
, 5F073DA35
, 5F073EA27
