特許
J-GLOBAL ID：200903018860514135
発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055221
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012923
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 高い発光強度を有する発光素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 発光素子は、第1導電型のIII -V族窒化物系半導体からなるクラッド層兼コンタクト層4と、コンタクト層4上に形成されInを含有するIII-V族窒化物系半導体からなる活性層5と、活性層5上に形成されIII -V族窒化物系半導体からなるアンドープのキャップ層6と、キャップ層6上に形成され第2導電型のIII -V族窒化物系半導体からなるクラッド層7とを備える。
請求項（抜粋）：
結晶成長可能な第1の成長温度で形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に前記第1の成長温度とほぼ同じかまたは低い第2の成長温度で形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に前記第1の成長温度よりも高い第3の成長温度で形成された第3の半導体層とを備えたことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (16件)
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審査官引用 (16件)
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