プラズマ処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-182322
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031466
出願日： 2002年06月24日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】絶縁膜への高アスペクト比のホール加工を行うプラズマ処理方法において、高エッチングレートで高いマスク選択比を実現可能な、プラズマ処理方法を提供する。【解決手段】反応性ガスをプラズマ化するとともに試料に高周波電圧を印加して、試料に形成された絶縁膜をエッチングする際に、エッチングガスとして反応性ガスにAr+CH4 ガスを添加したガスを用いる。また、エッチングガスをプラズマ化するUHF出力を変えてテーパ形状となるホール加工の形状を制御する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

反応性ガスをプラズマ化するとともに試料に高周波電圧を印加して、前記試料に形成された絶縁膜をエッチング処理するプラズマ処理方法において、前記反応性ガスにCH4 ガスを添加した混合ガスをエッチングガスとして用いることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (1件)：

H01L21/3065

FI (1件)：

H01L21/302 101D

Fターム (13件)：

5F004AA02 , 5F004AA12 , 5F004BA14 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BD03 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004EB01 , 5F004EB04 , 5F004EB08

引用特許：

審査官引用 (4件)

チルト制御回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-179255 出願人：松下電器産業株式会社
地球温暖化係数の低いガスを用いたシリコン酸化膜のエッチング法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-245889 出願人：日本真空技術株式会社
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-224080 出願人：株式会社日立製作所

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