連結キャビティ高出力半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤本昇 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-566229
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526930
出願日： 2001年03月06日
公開日（公表日）： 2003年09月09日
要約：

【要約】【課題】より高い出力レベルで1以上の所望する空間モードを造りだすことができ、かつ従来のVCSELやVECSELが実行できる効率より大きなデバイス効率をもつ面発光連結キャビティ半導体のレーザデバイスを提供する。【解決手段】 100%反射底部ブラッグミラーと部分的に反射する中間ブラッグミラーとの間に挟まれた活性増幅領域が基板の底面に形成され、これによって面発光連結キャビティ高出力レーザデバイスの第1(活性)共振キャビティが形成され、中間ミラーの反射率は、活性増幅領域内でのレーザ振動が起こらない程度に低くし、基板は、完全に第1活性共振キャビティの外側に位置し、中間ミラーと部分的に反射する出力ミラーとで規定された、増幅領域で循環する光の強度の分画のみを行う第2(受動)共振キャビティー内に配置される。

請求項（抜粋）：

第1反射鏡と、該第1反射鏡に対向した第1面と前記第1反射鏡に対して反対側を向いた第2面とを有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第1面上に配設され、前記第1反射鏡とともに第1活性共振キャビティを構成する中間反射鏡と、前記第1活性共振キャビティ内の前記中間反射鏡と前記第1反射鏡との間に配設されたドープされていない増幅媒体と、前記基板の前記第2面に隣接し、前記中間反射鏡とともに前記基板を含む第2受動共振キャビティを構成する第2反射鏡とを備えたレーザデバイス。

IPC (3件)：

H01S 5/183 , G02F 1/017 506 , G02F 1/03 505

FI (3件)：

H01S 5/183 , G02F 1/017 506 , G02F 1/03 505

Fターム (21件)：

2H079AA02 , 2H079AA12 , 2H079AA13 , 2H079BA01 , 2H079BA04 , 2H079DA03 , 2H079DA16 , 2H079KA14 , 2H079KA18 , 5F073AA65 , 5F073AA74 , 5F073AB02 , 5F073AB17 , 5F073AB23 , 5F073AB25 , 5F073AB27 , 5F073AB29 , 5F073CA07 , 5F073EA02 , 5F073EA12 , 5F073EA24

引用特許：

審査官引用 (5件)

狭帯域化面発光レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-104529 出願人：日本電気株式会社
特開昭64-046996
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-045232 出願人：株式会社日立製作所

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