特許

J-GLOBAL ID：200903033326809528

III族窒化物半導体素子およびその製造方法

発明者： 笹岡 千秋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-265854
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078215
出願日： 2001年09月03日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】III族窒化物半導体を容易に加工することのできる技術を提供するとともに、これにより実現される新規な素子構造を提供する。【解決手段】電流狭窄層308を以下のプロセスにより形成する。低温堆積により非結晶層を形成した後、エッチングにより開口部を設ける。その後、非結晶層形成温度よりも高い温度でp型クラッド層309より上部の層を形成することにより、非結晶層を結晶層に変換する。非結晶層の形成温度を約400°C、p型クラッド層309より上部の層の形成温度を1100°C程度とする。

請求項（抜粋）：

下地層の上にIII族窒化物半導体の非結晶層を形成する工程と、前記非結晶層の少なくとも一部をエッチングする工程と、前記非結晶層を、前記非結晶層の形成温度よりも高い温度で熱処理し、結晶層に変換する工程と、を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H

Fターム (74件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA59 ,  5F045DB02 ,  5F045EE12 ,  5F045HA13 ,  5F045HA14 ,  5F045HA16 ,  5F052AA11 ,  5F052CA00 ,  5F052DA09 ,  5F052DB01 ,  5F052FA02 ,  5F052JA10 ,  5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB14 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA22 ,  5F073EA29 ,  5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL12 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-058603   出願人：シャープ株式会社
• 半導体発光装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-328397   出願人：富士通株式会社
• 窒化物系半導体素子、窒化物系発光素子及び窒化物系半導体層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-219966   出願人：三洋電機株式会社