特許
J-GLOBAL ID：200903079913657200
窒化物系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-058603
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261160
出願日： 1998年03月10日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 窒化物系化合物半導体レーザ素子において、駆動電流の低減、信頼性の向上及び発振横モードの安定化を図る。【解決手段】 n型第1クラッド層104とp型第2クラッド層107とで挟まれた活性層105を有する窒化物系化合物半導体レーザ素子100において、活性層105の上に、非晶質又は多結晶の窒化物系化合物半導体層からなる高抵抗層を成長させ、ウェットエッチングでストライプ状開口部120を形成して電流狭窄層108とする。或いはストライプ状部分を除いて第2クラッド層に荷電粒子を照射し、キャリアトラップを高密度に形成して高抵抗な電流狭窄層108とする。
請求項（抜粋）：
一対のクラッド層と、両クラッド層で挟まれた活性層と、該活性層の上方に電流通路となるストライプ状開口部を有して設けられた電流狭窄層とを有する窒化物系化合物半導体レーザ素子において、該電流狭窄層が非晶質又は多結晶の窒化物系化合物半導体層を加熱して結晶化させた高抵抗層からなる窒化物系化合物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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