窒化物系半導体素子、窒化物系発光素子及び窒化物系半導体層の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-219966
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044567
出願日： 1999年08月03日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】また、本発明によれば、半導体層に発生する欠陥が少なく、良好に発光し、長寿命化に適した窒化物系発光素子を提供する。【解決手段】窒化物系半導体材料からなるn型クラッド層5、活性層6及びp型クラッド層7が順に積層され、該p型クラッド層7の上部にはストライプ状のリッジ部9が設けられ、該リッジ部9の両側に電流ブロック層34が設けられたリッジ導波路型構造の半導体レーザ素子において、リッジ部9と電流ブロック層との界面に、酸素又は炭素を含有する第1ブロック層34Aを形成したことを特徴とする

請求項（抜粋）：

第1の窒化物系半導体層上に、成長を中断した後の再成長により形成された第2の窒化物系半導体層を有する窒化物系半導体素子において、前記第1の窒化物系半導体層と前記第2の窒化物系半導体層との界面に、酸素又は炭素を含有する領域を形成したことを特徴とする窒化物系半導体素子。

IPC (4件)：

H01S 5/227 , H01L 33/00 , H01S 5/223 , H01S 5/343

FI (4件)：

H01S 5/227 , H01L 33/00 C , H01S 5/223 , H01S 5/343

Fターム (20件)：

5F041AA40 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA48 , 5F041CA54 , 5F041CA57 , 5F041CA61 , 5F073AA09 , 5F073AA13 , 5F073AA20 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB19 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073EA28 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-177031 出願人：古河電気工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-189930 出願人：株式会社東芝

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