特許
J-GLOBAL ID：200903033331633497

半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

発明者：
山本 直樹

山本 直樹 について

, 
田辺 義和

田辺 義和 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158089
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349285
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 二酸化シリコン換算膜厚が5nm未満の極薄ゲート絶縁膜上にメタルゲート電極を形成したMISFETにおいて、メタルゲート電極を酸化させることなくゲート絶縁膜の欠陥を修復する。【解決手段】 単結晶シリコン基板1の主面上に形成した二酸化シリコン換算膜厚が5nm未満のゲート絶縁膜9A上にゲート電極材料であるW膜11Aを形成した後、水分/水素分圧比がW膜11Aを実質的に酸化せず、シリコンを酸化するような割合に設定された水分+水素混合ガス雰囲気中でシリコン基板1を熱処理することにより、W膜11A直下のゲート絶縁膜9Aの欠陥を修復する。
請求項（抜粋）：
以下の工程からなる半導体集積回路装置の製造方法;(a)二酸化シリコン換算膜厚が5nm未満の膜厚を有し、酸化シリコンを主要な成分とする単一絶縁膜またはそれと他の絶縁膜とを含む複合絶縁膜からなるゲート絶縁膜を、ウエハの第1の主面上のシリコン表面に形成する工程、(b)前記ゲート絶縁膜上に、多結晶シリコンを主要な構成要素とする中間層を介することなく、高融点金属を主要な成分とするメタル膜を形成した後、前記メタル膜をパターニングしてメタルゲート電極を形成する工程、(c)水分/水素分圧比が前記高融点金属を実質的に酸化せず、シリコンを酸化するような割合に設定された水分と水素とを含むガス雰囲気中において、前記メタルゲート電極が形成された前記第1の主面に対して熱処理を行なうことによって、前記メタルゲート電極直下の前記ゲート絶縁膜中の欠陥を修復する工程。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/43
FI (4件)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/316 S ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/62 G
Fターム (84件)：
4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD79 ,  4M104DD99 ,  4M104EE03 ,  4M104EE06 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG10 ,  4M104HH20 ,  5F040DA00 ,  5F040DA01 ,  5F040DB03 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC08 ,  5F040EC10 ,  5F040ED01 ,  5F040ED03 ,  5F040ED05 ,  5F040EF02 ,  5F040EH02 ,  5F040EK05 ,  5F040FA01 ,  5F040FA02 ,  5F040FA03 ,  5F040FA07 ,  5F040FA17 ,  5F040FA18 ,  5F040FB02 ,  5F040FB04 ,  5F040FC00 ,  5F040FC10 ,  5F040FC28 ,  5F048AA07 ,  5F048AB03 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF07 ,  5F048BG13 ,  5F048BG14 ,  5F048DA19 ,  5F048DA20 ,  5F048DA27 ,  5F058BA01 ,  5F058BA04 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BF55 ,  5F058BF63 ,  5F058BF80 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 特開昭59-132136
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-236783   出願人：株式会社東芝
引用文献：
審査官引用 (1件)

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