特許
J-GLOBAL ID：200903033350546287
面発光型半導体レーザおよびその製造方法
出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社
セイコーエプソン株式会社 について
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-200643
公開番号（公開出願番号）：特開平11-046036
出願日： 1997年07月25日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【目的】面発光型半導体レーザのレーザ発光特性を損なうことなく、レーザ光の偏光面を安定にできる構造を備えた面発光型半導体レーザを提供すること。【構成】共振器の長さが一波長程度の、基板と垂直な方向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、p型クラッド層107の上部層まで、半導体の積層体の上面からみて長方形の形状にエッチングされた柱状部分114が形成され、この柱状部分114の周囲に絶縁層110と上部電極111を形成した後、その上に誘電体層112を電子ビーム蒸着法で形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に前記基板と垂直な方向にレーザ光を出射する光共振器が形成された面発光型半導体レーザにおいて、前記光共振器は、半導体多層膜構造により形成された一対の反射ミラーと、前記一対の反射ミラーの間に形成され、少なくとも活性層及びクラッド層を含む多層の半導体層を有し、前記一対の反射ミラーのうちレーザ光を出射する側の反射ミラーが柱状に形成された柱状部分からなり、前記柱状部分の周囲に絶縁層を介して、前記柱状部分の端面に臨んで開口部を有する上部電極を設け、前記開口部および上部電極上に誘電体層を少なくとも1層形成することを特徴とする面発光型半導体レーザ。
引用特許：
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