特許

J-GLOBAL ID：200903033357953090

窒化物半導体素子およびその製造方法

発明者： 嘉数 誠 ,  小林 直樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-124873
公開番号（公開出願番号）：特開2001-307665
出願日： 2000年04月25日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 電子の放出効率の高い素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Al<SB>x</SB>B<SB>y</SB>Ga<SB>1-x-y</SB>N(0<x≦1、0<y≦1)の窒化物半導体層上に絶縁性スペーサーを設け、該絶縁性スペーサー上に蛍光体を層を有するITO膜を形成した発光素子であって、前記窒化物半導体層がITO膜方向に突起を有し、この突起が錐体形状を有することを特徴とする発光素子に関する。また本発明は、該発光素子の製造方法に関する。さらに、本発明は、窒化物半導体層、第一の絶縁性スペーサー、第一の電極、第二の絶縁性スペーサー、第二の電極を具備する電子素子であって、前記窒化物半導体層が、第一の電極に向けて錐体状の突起を有し、前記第一の電極が孔を有し、かつ前記錐体の頂部が前記第一の電極の孔に配置されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Al<SB>x</SB>B<SB>y</SB>Ga<SB>1-x-y</SB>N(0<x≦1、0<y≦1)の窒化物半導体層上に絶縁性スペーサーを設け、該絶縁性スペーサー上に蛍光体層を有するITO膜を形成した発光素子であって、前記窒化物半導体層がITO膜方向に突起を有し、この突起が錐体形状を有することを特徴とする発光素子。

IPC (8件)：

H01J 31/12 ,  H01J 1/30 ,  H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 19/24 ,  H01J 21/10 ,  H01J 29/04 ,  H01L 33/00

FI (8件)：

H01J 31/12 C ,  H01J 9/02 B ,  H01J 19/24 ,  H01J 21/10 ,  H01J 29/04 ,  H01L 33/00 C ,  H01J 1/30 C ,  H01J 1/30 F

Fターム (23件)：

5C031DD17 ,  5C031DD20 ,  5C035BB01 ,  5C035BB07 ,  5C036EE01 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF08 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12 ,  5C036EH11 ,  5F041AA03 ,  5F041CA10 ,  5F041CA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA91 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041FF01 ,  5F041FF16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電子放出素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-242086   出願人：株式会社東芝
• 微小冷陰極管とその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-236046   出願人：株式会社東芝
• 電界放射型素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-227469   出願人：株式会社豊田中央研究所