特許
J-GLOBAL ID：200903033381365337

薄膜製造方法

発明者：
柳谷 隆彦

柳谷 隆彦 について

, 
渡辺 好章

渡辺 好章 について


出願人/特許権者：
関西ティー・エル・オー株式会社

関西ティー・エル・オー株式会社 について


代理人 (2件)： 小林 良平 ,  竹内 尚恒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-074618
公開番号（公開出願番号）：特開2004-244716
出願日： 2003年02月11日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】基板の種類を選ばず、c軸が薄膜の面内の一方向に配向したZnO薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】基板11に、c軸を配向させようとする方向に温度勾配を形成して、ZnO薄膜を堆積させる。ここで、温度勾配は、例えば基板11を設置する基板台14の一端面をヒータ13で加熱しつつ、その端面に対向する端面を冷却ユニット15で冷却することにより形成する。ZnO薄膜の堆積には、スパッタ法やCVD法等を用いることができる。こうして基板11に堆積したZnO薄膜は、そのc軸が温度勾配の方向に配向したものとなる。この方法では、Al,Cu等の金属基板やガラス基板等の様々な基板を用いることができる。また、この方法を用いて単結晶基板上にZnO薄膜を形成することにより、従来よりも結晶性が高い良質のZnO単結晶薄膜を得ることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
所定の結晶軸を配向させようとする方向に温度勾配を形成した基板上に薄膜を堆積させることを特徴とする薄膜製造方法。
IPC (4件)：
C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L41/18 ,  H01L41/24
FI (4件)：
C23C14/08 C ,  C23C14/34 L ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101Z
Fターム (10件)：
4K029AA02 ,  4K029AA09 ,  4K029BA49 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特公昭51-020719
  • 特公昭50-023918
  • 横波トランスデューサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-032654   出願人：株式会社村田製作所
審査官引用 (3件)
  • 特公昭51-020719
  • 特公昭50-023918
  • 横波トランスデューサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-032654   出願人：株式会社村田製作所

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