横波トランスデューサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮▼崎▲ 主税 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-032654
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228398
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】 ZnO膜を用いて構成されており、横波変換効率の高い横波トランスデューサを提供する。【構成】ロッド12の一方端面上にc軸が形成面と平行となるように電極として機能する低抵抗の第1のZnO層13を形成し、第1のZnO層13上に、横波を発生させるための高抵抗の第2のZnO層14を、そのc軸が形成面と平行となるように形成してなる、横波トランスデューサ11。

請求項（抜粋）：

R面サファイアからなり、横波の伝搬する支持体と、前記支持体上においてc軸が形成面と平行となるように形成されており、かつ電極として機能する低抵抗の第1のZnO層と、前記第1のZnO層上にc軸が形成面と平行となるように形成された高抵抗の第2のZnO層とを備える、横波トランスデューサ。

引用特許：

出願人引用 (2件)

弾性表面波装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-283228 出願人：株式会社村田製作所
音響レンズ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-058637 出願人：オリンパス光学工業株式会社

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