特許
J-GLOBAL ID：200903034547106269
非晶質フェリ磁性合金を使用してスピン偏極電流で書き込みを行なう磁気メモリ及びその書き込み方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
河野 登夫
, 河野 英仁
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-529474
公開番号（公開出願番号）：特表2005-503669
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】本発明は磁気メモリに関する。【解決手段】磁化が固定されている固定層61と称される磁性層と、磁化を反転させることが可能な自由層63と称される磁性層と、自由層73と固定層71との間に挟まれていてこれらの2つの層それぞれと接触している絶縁層62とを備える磁気トンネル接合60で各メモリポイントが構成されている。自由層63は、希土類又は遷移金属を主体とする非晶質又はナノ結晶の合金からなり、この合金の磁気の配列はフェロ磁性型であり、自由層は実質的に面内磁化を有する。
請求項（抜粋）：
磁気トンネル接合(60)で形成されたメモリポイントを有し、
- 固定磁化を有するいわゆる固定磁性層(61)と、
- 磁化を反転させることが可能ないわゆる自由磁性層(63)と、
- 前記自由層(63)と前記固定層(61)との間に挟まれており、これらの2層と接触している絶縁層(62)と
を備えた磁気メモリにおいて、
前記自由層(63)は希土類及び遷移金属を主体とする非晶質又はナノ結晶の合金からなり、該合金の磁気の配列がフェリ磁性型であり、前記自由層(63)が実質的に面内磁化を有することを特徴とする磁気メモリ。
IPC (3件)：
H01L27/105
, G11C11/15
, H01L43/08
H01L27/10 447
, G11C11/15 110
, G11C11/15 140
, H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083GA09
, 5F083JA60
, 5F083KA01
, 5F083KA05
