不揮発性半導体メモリ装置およびその書き込み方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-170034
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367381
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】多値書き込みでは、ベリファイ回数が多くベリファイを含めた書き込みサイクル時間が長い。また、電力消費が大きい。【解決手段】チャネルが形成される半導体と制御電極との間に積層された誘電体膜内に電荷を注入して、3値以上のデータをメモリセルに書き込む工程が、基準となる閾値レベルを設定する工程(不図示)と、電荷の注入によりさらにN(2以上の自然数)個の閾値レベルを設定するプログラム工程(ST1〜ST3)と、設定した閾値レベルのうちM(Nより小さい自然数)個の閾値レベルをベリファイする工程(ST4)とを含む。ベリファイした結果、追加プログラムが必要な場合に、好適に、N個の各閾値レベルに対し、それぞれ、ベリファイの結果に応じて予め定められた条件を用いて追加プログラム(ST1〜ST3)を行う。

請求項（抜粋）：

チャネルが形成される半導体と制御電極との間に積層された誘電体膜内に電荷を注入して、3値以上のデータをメモリセルに書き込む不揮発性半導体メモリ装置の書き込み方法であって、上記書き込み工程が、基準となる閾値レベルを設定するプログラム工程と、上記電荷の注入によりさらにN(2以上の自然数)個の閾値レベルを設定するプログラム工程と、設定した閾値レベルのうちM(Nより小さい自然数)個の閾値レベルをベリファイする工程とを含む不揮発性半導体メモリ装置の書き込み方法。

IPC (6件)：

G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

G11C 17/00 611 A , G11C 17/00 641 , G11C 17/00 622 Z , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (36件)：

5B025AA03 , 5B025AA07 , 5B025AB01 , 5B025AB03 , 5B025AC01 , 5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AE05 , 5B025AE06 , 5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083EP44 , 5F083EP77 , 5F083ER03 , 5F083ER06 , 5F083ER09 , 5F083ER14 , 5F083ER19 , 5F083ER21 , 5F083GA05 , 5F083HA02 , 5F083JA04 , 5F083JA32 , 5F083KA06 , 5F083KA12 , 5F083ZA20 , 5F083ZA21 , 5F101BA46 , 5F101BB05 , 5F101BC02 , 5F101BC11 , 5F101BD02 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BH26

引用特許：

審査官引用 (2件)

多値メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-018349 出願人：株式会社東芝
不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-116573 出願人：ソニー株式会社

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