特許
J-GLOBAL ID：200903004522984389

不揮発性記憶装置

発明者：
山岸 万千雄

山岸 万千雄 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-116573
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306182
出願日： 1996年05月10日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 多値メモリで電荷保持特性の劣化補償を容易にする。【解決手段】 特定トランジスタ(4を構成するメモリトランジスタやリファレンストランジスタ)のしきい値電圧の変動を検出する検出手段30と、これがしきい値電圧の変動を検出した場合、メモリセル4に対し再度のデータ書込みを行う再書込手段34とを有する。具体的には、検出手段30により、特定トランジスタについて、そのしきい値電圧の書き込み直後の分布に対し、一方側に所定電圧だけはなれた検出箇所にしきい値電圧を有するか否かを検出させるとよい。また、検出手段30に検出タイミングを付与するタイマ32を設けるとよい。
請求項（抜粋）：
各メモリセルごとに、電荷蓄積層を備えたメモリトランジスタを有し、電荷蓄積層への注入電荷量を変えてメモリトランジスタのしきい値電圧を調整することで、各メモリセルに書き込み可能なデータを3値以上とした不揮発性記憶装置であって、特定トランジスタのしきい値電圧の変動を検出する検出手段と、該検出手段が特定トランジスタのしきい値電圧の変動を検出した場合、メモリセルに対し再度のデータ書き込みを行う再書込手段と、を有する不揮発性記憶装置。
IPC (6件)：
G11C 16/04 ,  G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
G11C 17/00 308 ,  G11C 17/00 510 A ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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