特許
J-GLOBAL ID:200903033423273969
発光素子用のオーミックコンタクト層の製造方法及びこれを備えた発光素子の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 宇谷 勝幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-133055
公開番号(公開出願番号):特開2006-324661
出願日: 2006年05月11日
公開日(公表日): 2006年11月30日
要約:
【課題】発光素子用のオーミックコンタクト層の製造方法及びこれを用いた発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体物質層上に第1導電物質層を形成する段階と、第1導電物質層上にナノサイズの複数の島部を有するマスク層を形成する段階と、第1導電物質層及び島部上に第2導電物質層を形成する段階と、溶媒を用いたリフトオフにより島部と当該島部上の第2導電物質層を除去する段階と、を含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1導電物質層と、貫通孔を有する第2導電物質層とを備える発光素子用のオーミックコンタクト層の製造方法であって、
半導体物質層上に第1導電物質層を形成する段階と、
前記第1導電物質層上に、前記貫通孔に対応するナノサイズの複数の島部を有するマスク層を形成する段階と、
前記第1導電物質層及び前記マスク層の島部上に第2導電物質層を形成する段階と、
溶媒を用いたリフトオフにより前記島部及び当該島部上の第2導電物質層を除去する段階と、を含むことを特徴とする発光素子用のオーミックコンタクト層の製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (6件):
5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA98
引用特許:
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