特許
J-GLOBAL ID：200903043960232611

半導体発光素子とそれを用いた発光装置

発明者：
三賀 大輔

三賀 大輔 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-222629
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039284
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
【課題】 本発明は、各電極の方向31,32と電極層の開口部形状を特定することで発光特性向上させる。【解決手段】 第1,2導電型層1,2とその間に発光層3を有する素子101において、該第1、2導電型層に設けられた電極ではさまれた発光構造部が、第1と2を有し、第二発光構造部は、一部だけ第1、2電極ではさまれた領域を有する。 また、だい1,2電極にはさまれた発光構造部は、複数有して、それぞれ長さがことなる。さらに、第二発光構造部は、発光素子の端部に配置される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型層と第2導電型層とに挟まれた発光層を有する半導体発光素子において、 前記第1導電型層と第2導電型層に、それぞれ第1電極、第2電極が同一面側に設けられ、 該電極形成面には、前記発光層を備えた発光構造部を複数有し、 前記発光構造部が、前記電極形成面内において、ほぼ全面が第1電極と第2電極とに挟まれた第1発光構造部と、一部が第1電極と第2電極とに挟まれた第2発光構造部と、を有する半導体発光素子
IPC (6件)：
H01L33/00 ,  C09K11/59 ,  C09K11/65 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  C09K11/80
FI (7件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  C09K11/59 ,  C09K11/65 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  C09K11/80
Fターム (48件)：
4H001XA04 ,  4H001XA06 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA12 ,  4H001XA13 ,  4H001XA14 ,  4H001XA20 ,  4H001XA21 ,  4H001XA22 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA32 ,  4H001XA38 ,  4H001XA39 ,  4H001XA40 ,  4H001XA49 ,  4H001XA50 ,  4H001XA56 ,  4H001XA57 ,  4H001XA58 ,  4H001XA59 ,  4H001XA62 ,  4H001XA63 ,  4H001XA64 ,  4H001XA65 ,  4H001XA71 ,  4H001XA72 ,  4H001YA58 ,  4H001YA59 ,  4H001YA63 ,  5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CB05 ,  5F041CB11 ,  5F041DA04 ,  5F041DA07 ,  5F041DA19 ,  5F041DA36 ,  5F041DA43 ,  5F041DA57
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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