特許
J-GLOBAL ID：200903033432614710
有機EL表示素子の絶縁膜を形成するための感放射線性組成物、それから形成された絶縁膜、および有機EL表示素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-317124
公開番号（公開出願番号）：特開2003-288991
出願日： 2002年10月31日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：
【要約】【課題】 スルーホールあるいはコの字型の窪みを形成しうる十分な解像度を持ち、平坦化性能に優れ、透明電極形成時に用いられるレジスト剥離液に対する高い耐性を持ち、さらに、発光を阻害する不純物(主として水分)の浸入を防ぐ有機EL表示素子の絶縁膜を形成するための感放射線性組成物、それから形成された有機EL表示素子の絶縁膜およびその絶縁膜を有する有機EL表示素子を提供すること。【解決手段】 組成物は、(A)特定のシラン化合物、その加水分解物およびその加水分解物の縮合物からなる群から選ばれる少なくとも1つの化合物、および(B)放射線の照射を受けて酸または塩基を発生する化合物を含有する。有機EL表示素子の絶縁膜は上記組成物から形成され、有機EL表示素子は上記絶縁膜を有する。
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表されるシラン化合物、その加水分解物およびその加水分解物の縮合物からなる群から選ばれる少なくとも1つの化合物、(R1)pSi(X)4-p ・・・(1)(一般式(1)中、R1は、炭素数が1〜12である非加水分解性の有機基、Xは加水分解性基、およびpは0〜3の整数である。)、(B)放射線の照射を受けて酸または塩基を発生する化合物、を含有することを特徴とする、有機EL表示素子の絶縁膜を形成するための感放射線性組成物。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05B 33/22 Z
, H05B 33/14 A
3K007AB11
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007EA00
, 3K007EB01
, 3K007FA01
