特許

J-GLOBAL ID：200903033466048217

半導体素子およびその製造方法

発明者： 本間 荘一 ,  宮田 雅弘 ,  江澤 弘和 ,  吉岡 潤一郎 ,  井上 裕章 ,  徳岡 剛
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065419
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260801
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 鉛フリーのはんだを用いて、信頼性の高い半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板と、半導体基板上に形成された配線パッドと、配線パッド上に形成されたバリアメタルと、バリアメタル上に形成されたAg3 Sn金属間化合物と、Ag3 Sn金属間化合物上に形成された低融点金属からなる突起電極とを具備する半導体素子およびその製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線パッドと、前記配線パッド上に形成されたバリアメタルと、前記バリアメタル上に形成されたAg3 Sn金属間化合物と、前記Ag3 Sn金属間化合物上に形成された低融点金属からなる突起電極とを具備することを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/3205

FI (6件)：

H01L 21/92 603 E ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/92 604 C ,  H01L 21/92 604 B

Fターム (31件)：

5F033HH03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM17 ,  5F033MM21 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ84 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033SS22 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F033XX00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体メモリ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-174426   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• はんだバンプ、その形成方法及びはんだバンプ形成体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-020652   出願人：株式会社東芝