特許
J-GLOBAL ID:200903033467065824
高耐熱衝撃性を有する高純度の、シリコン処理された炭化ケイ素
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 敬 (外4名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-586655
公開番号(公開出願番号):特表2002-531371
出願日: 1999年11月09日
公開日(公表日): 2002年09月24日
要約:
【要約】本発明は、少くとも71 vol%の炭化ケイ素を有する転換黒鉛SiC体をシリコン処理して得られる、高強度、耐熱衝撃性、高純度のシリコン処理された炭化ケイ素材料に関する。
請求項(抜粋):
開気孔を有する少くとも約71 vol%の転換黒鉛SiCマトリックスを含む、シリコン処理された炭化ケイ素にもとづく複合体であり、マトリックスの開気孔は本質的にシリコンで充填されている複合体。
IPC (5件):
C04B 41/88
, C04B 41/85
, H01L 21/26
, H01L 21/31
, H01L 21/324
FI (5件):
C04B 41/88 U
, C04B 41/85 C
, H01L 21/31 E
, H01L 21/324 Q
, H01L 21/26 Q
Fターム (10件):
5F045AA20
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AD17
, 5F045AD18
, 5F045EB03
, 5F045EK11
引用特許:
出願人引用 (4件)
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特開平1-264969
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半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-006264
出願人:住友金属工業株式会社, 株式会社ブリヂストン
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半導体治具用炭化珪素粉末の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-178389
出願人:住友金属工業株式会社, 株式会社ブリヂストン
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特開昭51-085374
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審査官引用 (4件)