特許
J-GLOBAL ID：200903033498932232
CZ法単結晶インゴット製造装置及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122796
公開番号（公開出願番号）：特開2000-313691
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】 CZ法単結晶インゴット製造装置における単結晶育成において、再現性よく完全結晶が得られる装置及び方法を提供する。【解決手段】 CZ法単結晶インゴット製造装置において、前記熱遮蔽体の底部から原料融液液面までの距離を測定する測定手段を備え、これにより測定された距離に基づいて、前記シリコン融液に対する加熱量、シリコン融液液面の液面レベル、或は引き上げシリコン単結晶インゴットの引き上げ速度等の引き上げ条件の制御を行うことにより、引き上げシリコン単結晶インゴットのG1領域の部分の温度勾配の調整を行い、再現性よく完全結晶が得られるようにする。
請求項（抜粋）：
原料融液から単結晶インゴットの引き上げを行うCZ法単結晶インゴット製造装置であって、引き上げられている単結晶インゴット(以下、引き上げ単結晶インゴット)を囲繞して当該引き上げ単結晶インゴットに注がれる熱の量を調整する熱遮蔽体を備えるCZ法単結晶インゴット製造装置において、前記熱遮蔽体の底部から原料融液液面までの距離を測定する測定手段と、この測定手段により測定された距離に基づいて単結晶インゴットの引き上げ条件の制御を行うコントローラーと、を備えることを特徴とするCZ法単結晶インゴット製造装置。
IPC (3件)：
C30B 15/20
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
C30B 15/20
, C30B 29/06 502 E
, H01L 21/208 P
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF00
, 4G077EG25
, 4G077EH07
, 4G077EH09
, 4G077EH10
, 4G077FG11
, 4G077HA12
, 4G077PF03
, 4G077PF16
, 4G077PF17
, 4G077PF45
, 5F053AA12
, 5F053BB04
, 5F053DD01
, 5F053FF04
, 5F053GG01
, 5F053RR03
