特許
J-GLOBAL ID：200903055783779689

シリコン単結晶の製造方法

発明者：
中村 浩三

中村 浩三 について

, 
石川 文敬

石川 文敬 について


出願人/特許権者：
コマツ電子金属株式会社

コマツ電子金属株式会社 について


代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330714
公開番号（公開出願番号）：特開2000-159595
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：
【要約】【課題】 チュクラルスキー法により生産されるシリコン単結晶ウェーハに対して広い無欠陥領域を安定して付与することができる方法を提供する。【解決手段】チュクラルスキー法によりシリコン単結晶バルクを製造する方法において、シリコン融点から1350°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Gの結晶の外側面と結晶中心での値の比であるG outer/G centerを1.10から1.50の間とする。
請求項（抜粋）：
チュクラルスキー法によりシリコン単結晶バルクを製造する方法であって、シリコン融点から1350°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値Gの結晶の外側面と結晶中心での値の比であるG outer/G centerを1.10から1.50の間とすることを特徴とするシリコン単結晶バルクの製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502 ,  C30B 15/20
FI (2件)：
C30B 29/06 502 J ,  C30B 15/20
Fターム (7件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH06 ,  4G077EH09 ,  4G077PF51
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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