特許
J-GLOBAL ID:200903033512079068
フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
後藤 幸久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-308032
公開番号(公開出願番号):特開2002-116542
出願日: 2000年10月06日
公開日(公表日): 2002年04月19日
要約:
【要約】【課題】 基板に対する密着性とエッチング耐性とをバランスよく兼ね備えた新規なフォトレジスト用高分子化合物を提供する。【解決手段】 下記式(Ia)及び(Ib)【化1】(式中、Raは水素原子又はメチル基を示し、R1〜R18は、それぞれ、水素原子、メチル基又はエチル基を示す)から選択された少なくとも1種のモノマー単位を含むフォトレジスト用高分子化合物。該フォトレジスト用高分子化合物は、脂環式炭化水素環を含む基を有するモノマー単位(式(Ia)及び(Ib)で表されるモノマー単位を除く)を全体の0.1〜50モル%含んでいてもよい。また、Fedorsの方法による溶解度パラメーターの値が11(cal/cm3)1/2以下のモノマーに対応するモノマー単位を0.1〜50モル%含んでいてもよい。
請求項(抜粋):
下記式(Ia)及び(Ib)【化1】(式中、Raは水素原子又はメチル基を示し、R1〜R18は、それぞれ、水素原子、メチル基又はエチル基を示す)から選択された少なくとも1種のモノマー単位を含むフォトレジスト用高分子化合物。
IPC (6件):
G03F 7/039 601
, C08F 20/28
, C08F220/28
, C08K 5/00
, C08L 33/14
, H01L 21/027
FI (6件):
G03F 7/039 601
, C08F 20/28
, C08F220/28
, C08K 5/00
, C08L 33/14
, H01L 21/30 502 R
Fターム (49件):
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025BJ01
, 2H025CB08
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025FA17
, 4J002BG071
, 4J002EE036
, 4J002EQ016
, 4J002EU186
, 4J002EV216
, 4J002EV246
, 4J002EV296
, 4J002EV326
, 4J002FD146
, 4J002GP03
, 4J100AK32R
, 4J100AL02Q
, 4J100AL03Q
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AR11Q
, 4J100AR11R
, 4J100BA11P
, 4J100BA11Q
, 4J100BA11R
, 4J100BA16Q
, 4J100BA20Q
, 4J100BC04P
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09R
, 4J100BC12Q
, 4J100BC12R
, 4J100BC53P
, 4J100BC53Q
, 4J100BC53R
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100JA38
引用特許: