半導体デバイス及びその製造方法、並びに該半導体デバイスを用いてなるプローブカード

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-186022
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036122
出願日： 1995年07月21日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】ボールバンプ位置精度の極めて良い、ボールバンプの密着強度の良好で、しかも低コスト、高信頼性のボールバンプ形成された半導体デバイスの構造および製造方法を提供することである。【解決手段】接続用ボールバンプが形成された半導体デバイスであって、エッチングによりボールバンプ5の位置に対応した部分にくぼみをもったピット部16を形成する。このピット部16上に、金属酸化膜12、アルミニウムの導体配線4、及び薄膜導体層14を形成し、その上層にボールバンプ5が形成されている。回路形成面の保護のため、表面に酸化膜や高分子樹脂等の保護膜18を形成している。

請求項（抜粋）：

接続用のボールバンプが形成されている半導体デバイスにおいて、P型、N型Si、又はGaAsの半導体基板上にエッチングによって前記ボールバンプ位置に対応した部分にくぼみをもったピット部を形成し、該ピット部の内壁に導体配線層を形成し、該導体配線層が形成された前記ピット部にボールバンプを形成してなることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/321 , G01R 1/06 , G01R 1/073 , H01L 21/66 , H01L 29/41

FI (7件)：

H01L 21/92 602 M , G01R 1/06 F , G01R 1/073 F , H01L 21/66 B , H01L 21/92 604 T , H01L 21/92 604 H , H01L 29/44 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

集積回路装置用バンプ電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-283367 出願人：富士電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-327936 出願人：富士通株式会社
特開昭63-020855

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