特許
J-GLOBAL ID：200903033520687239

可変容量ダイオード及びその製造方法

発明者：
松下 政志

松下 政志 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-151015
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343980
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 ディスクリートの可変ダイオードにおいて、電圧容量変化率を大きくして低電圧で駆動できるようにし、また高周波特性を改善することである。【解決手段】 シリコン含有率が3%以上5%以下のアルミニウムシリコンを用いてアノード電極7を形成することにより、P+拡散層4へのアルミニウムスパイクを防止することができる。そのため、P+拡散層4及びN+拡散層3を浅く形成でき、不純物濃度の分布を急峻にすることができる。また、不純物濃度を低く抑えることができ、拡散電位を低く抑えることができる。この結果、電圧容量変化率を大きくし、低電圧で駆動できるようになる。また、拡散電位が低くすることによりキャリアが移動しやすくなり、高周波特性が改善される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成される可変容量ダイオードであって、前記半導体基板の表面に形成された第1導電型不純物拡散領域と、前記半導体基板の表面に前記第1導電型不純物拡散領域に重なるように形成された第2導電型不純物拡散領域と、前記第2導電型不純物拡散領域の表面上に形成され、シリコン含有率が3wt%以上10wt%以下であるアルミニウムシリコンからなる第1電極と、前記半導体基板の裏面に形成される第2電極と、を備える可変容量ダイオード。
IPC (2件)：
H01L 29/93 ,  H01L 29/43
FI (2件)：
H01L 29/93 H ,  H01L 29/46 M
Fターム (16件)：
4M104AA01 ,  4M104BB03 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD21 ,  4M104DD37 ,  4M104FF02 ,  4M104GG02 ,  4M104GG19 ,  4M104HH04 ,  4M104HH06 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20
引用特許：
審査官引用 (5件)
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