特許
J-GLOBAL ID：200903033542233983

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

発明者：
鶴見 由美子

鶴見 由美子 について

, 
田中 正幸

田中 正幸 について


出願人/特許権者：
東レ株式会社

東レ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-063609
公開番号（公開出願番号）：特開平10-265546
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年10月06日
要約：
【要約】【課題】樹脂封止型半導体装置の小型化、高性能化を図りつつ密着性、信頼性に優れるエポキシ樹脂組成物および該エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置を提供することにある。【構成】 図1に示すような半導体素子1と、該半導体素子が搭載される基板2と、該半導体素子を封止するエポキシ樹脂組成物3とを具備する半導体装置であって、該基板に対して片面にのみ該エポキシ樹脂組成物が成形されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置であって、かつ該エポキシ樹脂組成物がエポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤を含んでなり、該樹脂組成物の硬化物の室温での曲げ弾性率が10GPaを超え30GPa以下、室温からガラス転移温度までの線膨張係数が4〜10×10-6/Kであり、(室温での曲げ弾性率)×(室温からガラス転移温度までの線膨張係数)≦2×10-4GPa/Kであることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
請求項（抜粋）：
半導体素子1と、該半導体素子が搭載される基板2と、該半導体素子を封止するエポキシ樹脂組成物の硬化物3とを具備する半導体装置であって、該基板に対して片面にのみ該エポキシ樹脂組成物が成形されており、かつ該エポキシ樹脂組成物の硬化物がエポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、無機充填剤(C)を含んでなり、該エポキシ樹脂組成物の硬化物が下記(イ)〜(ハ)の特性を有するものである樹脂封止型半導体装置。(イ)23°Cでの曲げ弾性率が、10GPaを超え、30GPa以下(ロ)23°Cからガラス転移温度までの線膨張係数が4×10-6〜10×10-6/K(ハ)(23°Cでの曲げ弾性率)×(23°Cからガラス転移温度までの線膨張係数)が2×10-4GPa/K以下
IPC (6件)：
C08G 59/24 ,  C08K 3/00 ,  C08L 21/00 ,  C08L 63/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (6件)：
C08G 59/24 ,  C08K 3/00 ,  C08L 21/00 ,  C08L 63/00 C ,  C08L 63/00 A ,  H01L 23/30 R
引用特許：
審査官引用 (4件)
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