特許

J-GLOBAL ID：200903033549851364

蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法

発明者： 宮崎 澄夫
出願人/特許権者： 株式会社SUMCO
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-100094
公開番号（公開出願番号）：特開2008-255433
出願日： 2007年04月06日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：

【課題】半導体ウェーハの電気的特性を高精度かつ簡便に評価し得る手段を提供すること。【解決手段】被蒸着面上に蒸着パターンを形成するための蒸着用マスク。少なくとも1つの開口を有し、かつ厚さ20μm以下の樹脂基材と、該基材の一方の面に接着性層を有する。前記蒸着用マスクを、蒸着用マスクが有する接着性層を介して被蒸着面と貼り合わせた後、被蒸着面に蒸着処理を施す蒸着パターン作製方法。前記マスクを使用する半導体ウェーハ評価用試料の作製方法。前記方法によって半導体ウェーハ表面上に金属パターンを作製し、作製された金属パターンを介して半導体ウェーハの電気的特性を測定する半導体ウェーハの評価方法。前記評価方法を使用する半導体ウェーハの製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

被蒸着面上に蒸着パターンを形成するための蒸着用マスクであって、 少なくとも1つの開口を有し、かつ 厚さ20μm以下の樹脂基材と、該基材の一方の面に接着性層を有する蒸着用マスク。

IPC (4件)：

C23C 14/04 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/285 ,  C23C 14/24

FI (6件)：

C23C14/04 A ,  H01L21/66 N ,  H01L21/66 E ,  H01L21/66 Y ,  H01L21/285 P ,  C23C14/24 G

Fターム (19件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA05 ,  4K029BB03 ,  4K029BC03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB18 ,  4K029HA02 ,  4K029HA04 ,  4M104BB09 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M106AA01 ,  4M106AD10 ,  4M106BA14 ,  4M106CA12 ,  4M106CB01 ,  4M106DH16

引用特許：

出願人引用 (2件)

• マスク蒸着方法及び蒸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-259028   出願人：日本電気株式会社
• メタルマスクの接着構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-189473   出願人：株式会社日立製作所