特許
J-GLOBAL ID：200903033583920308
ITO透明導電膜の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344616
公開番号（公開出願番号）：特開平10-168558
出願日： 1996年12月09日
公開日（公表日）： 1998年06月23日
要約：
【要約】【課題】 RFスパッタ法を用いたITO透明導電膜の作製で、酸欠ターゲットを用いてもトラッキングアークの発生を防ぎ、安定した成膜を可能とし、酸素濃度による比抵抗の制御性を向上させ、より低抵抗のITO透明導電膜を得る。【解決手段】 ターゲット背面にマグネットを配置し、スパッタリングガスとして希ガス等を導入した雰囲気でターゲットに高周波電力を供給し、ターゲット近傍にプラズマを収束させてスパッタリング現象を利用して基板上にITO透明導電膜を形成する高周波マグネトロンスパッタリング法を用いたITO透明導電膜の作製方法であり、ターゲットとしてIn2 O3 とSnO2 の酸化物元素を主成分とし、In、Sn、またはIn-Sn合金のいずれかを添加した焼結体等を用い、ターゲットへの高周波電力の供給を周期的に停止させ、高周波電力の供給時間を異常放電発生に要する時間よりも短くなるようにする。
請求項（抜粋）：
ターゲットの背面にマグネットを配置し、スパッタリングガスとして、希ガスあるいは希ガスと酸素を導入した雰囲気で前記ターゲットに高周波電力を供給し、前記ターゲット近傍にプラズマを収束させてスパッタリング現象を利用して基板上にITO透明導電膜を形成する高周波マグネトロンスパッタリング法を用いたITO透明導電膜の作製方法において、前記ターゲットとして、In2 O3 とSnO2 の酸化物元素を主成分とし、In、Sn、またはIn-Sn合金のいずれかを添加した焼結体を用い、前記ターゲットへの高周波電力の供給を周期的に停止させ、高周波電力の供給時間を異常放電発生に要する時間よりも短くなるようにしたことを特徴とするITO透明導電膜の作製方法。
IPC (4件)：
C23C 14/08
, C04B 35/495
, C23C 14/34
, C23C 14/40
C23C 14/08 D
, C23C 14/34 A
, C23C 14/40
, C04B 35/00 J
