半導体基板およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-112696
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303208
出願日： 1997年04月30日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】効率良くIG効果を発揮させると共に、スリップや転位が少なく機械的強度の低下が小さい半導体基板を提供する。【解決手段】半導体基板の内部に1011個/cm3 以上の個数密度で酸素析出物を分散して存在させる。

請求項（抜粋）：