特許
J-GLOBAL ID：200903033606959975
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-098367
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307328
出願日： 1994年05月12日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 本発明はフォトリソグラフィ工程において、反射防止膜上のレジスト膜のパターニングならびに反射防止膜のエッチングパターンの最適寸法を得る。【構成】 炭素或いは炭化水素を主体とする反射防止膜3を下層に有するレジスト膜4をマスクとして、基板1上の被エッチング膜2をエッチングする工程において、露光現像されたレジスト膜4並びに反射防止膜3を弗素を含むハロゲン炭化水素と酸素を混合したエッチングガス5でエッチングする。
請求項（抜粋）：
炭素或いは炭化水素を主体とする反射防止膜(3) を下層に有するレジスト膜(4) をマスクとして、基板(1) 上の被エッチング膜(2) をエッチングする工程において、露光現像された該レジスト膜(4) 並びに該反射防止膜(3) を弗素を含むハロゲン系炭化水素と酸素を混合したエッチングガス(5) でエッチングすることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/027
H01L 21/302 H
, H01L 21/30 574
, H01L 21/302 F
