特許

J-GLOBAL ID：200903033613717278

カーボンナノチューブトランジスタの製造方法

発明者： 林 軍
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-226352
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049459
出願日： 2004年08月03日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】 カーボンナノチューブトランジスタの製造方法に関し、カーボンナノチューブトランジスタの製造歩留まりを向上させる。【解決手段】 ソース部5、ドレイン部6、及び、ソース部5とドレイン部6との間の領域以外の領域上に堆積したカーボンナノチューブ9を除去する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ソース部、ドレイン部、及び、前記ソース部とドレイン部との間の領域以外の領域上に堆積したカーボンナノチューブを除去することを特徴とするカーボンナノチューブトランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301A ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/285 301 ,  H01L29/78 618Z

Fターム (57件)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB16 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD68 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  5F110AA26 ,  5F110BB04 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG01 ,  5F110GG28 ,  5F110GG30 ,  5F110GG32 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK32 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-204182   出願人：日本電気株式会社
• 触媒担持基板およびそれを用いたカーボンナノチューブの成長方法ならびにカーボンナノチューブを用いたトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-226020   出願人：日本電気株式会社