高周波回路基板

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-000165
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186409
出願日： 1995年01月05日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】耐熱性を備え、かつ高周波の伝送損失を低減させるために比誘電率のより小さい高周波回路基板を提供する。【構成】誘電体基板1の表面に導体層2が形成される。誘電体基板1はセラミックス多孔体を含み、3.5よりも小さい比誘電率を有する。セラミックス多孔体の気孔率は50%以上90%以下である。セラミックス多孔体は、SiO2 、Si3 N4 、Al2 O3 、AlNまたはMgOの少なくともいずれか1種を含むセラミックスから形成される。湿度の高い雰囲気中で使用するために、SiO2の膜がセラミックス多孔体の表面に形成されてもよい。

請求項（抜粋）：

誘電体基板の表面に導体層が形成された高周波回路基板において、前記誘電体基板がセラミックス多孔体を含み、3.5より小さい比誘電率を有することを特徴とする、高周波回路基板。

IPC (4件)：

H01P 3/08 , C04B 38/00 303 , H05K 1/03 610 , H01B 3/00

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-139060
封止多孔性電子基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-177823 出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
特開平4-088699

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