ビスマス含有複合金属酸化膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：羽鳥修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-223246
公開番号（公開出願番号）：特開2000-053422
出願日： 1998年08月06日
公開日（公表日）： 2000年02月22日
要約：

【要約】【課題】比較的融点が低く、室温で液体またはわずかな加温で液化し、取り扱いが容易で成膜室への供給性に優れ、また昇華ではなく蒸発によって気化が可能で気化速度を一定に保つことができ、成膜室への原料の供給量の制御が容易であり、さらに、熱安定性や分解温度がCVD原料に好適なビスマス化合物を用いてなるビスマス含有複合金属酸化膜を提供すること。【解決手段】本発明のビスマス含有複合金属酸化膜は、化学気相成長法により、ABi2 B2 O9 (式中、AはSrまたはBaを表し、BはTaまたはNbを表す)で表されるビスマス含有金属複合酸化膜を成膜するに際し、原料の一つとして下記[化1]の一般式(I)で表されるビスマス化合物を用いてなるものである。【化1】

請求項（抜粋）：

化学気相成長法により、ABi2 B2 O9 (式中、AはSrまたはBaを表し、BはTaまたはNbを表す)で表されるビスマス含有金属複合酸化膜を成膜するに際し、原料の一つとして下記[化1]の一般式(I)で表されるビスマス化合物を用いてなることを特徴とするビスマス含有複合金属酸化膜。【化1】

IPC (9件)：

C01G 35/00 , C01G 33/00 , C23C 16/40 , H01G 4/12 310 , C07F 9/94 , H01L 21/316 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (8件)：

C01G 35/00 B , C01G 33/00 A , C23C 16/40 , H01G 4/12 310 , C07F 9/94 , H01L 21/316 X , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (5件)

ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-254398 出願人：株式会社高純度化学研究所
MOCVDによるヘテロ金属酸化物の成長用前駆体
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-557258 出願人：イギリス国
ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-296313 出願人：株式会社高純度化学研究所

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