特許

J-GLOBAL ID：200903033628840742

圧電磁器組成物およびそれを用いた圧電セラミック素子

発明者： 澤田 拓也 ,  木村 雅彦 ,  安藤 陽 ,  林 宏一
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-161831
公開番号（公開出願番号）：特開2001-130961
出願日： 2000年05月31日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：

【要約】【課題】 SrBi2 Nb2 O9 を主成分とする圧電磁器組成物の焼成が可能な温度を低下させ、1100°C以下の焼成温度で実用に供しうる程度の電気機械結合係数ktを示す圧電セラミックフィルタ、圧電セラミック発振子および圧電セラミック振動子などの圧電セラミック素子などの材料として有用な圧電磁器組成物およびそれを用いた圧電セラミック素子を提供する。【解決手段】 圧電磁器組成物は、一般式SrBi2 Nb2 O9 で表される主成分からなる圧電磁器組成物において、少なくともSiをその一般式で表される主成分中のBi、1molに対して0.3mol以下(0を含まない)含有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

一般式SrBi2 Nb2 O9 で表される主成分からなる圧電磁器組成物において、少なくともSiを前記一般式で表される主成分中のBi、1molに対して0.3mol以下(0を含まない)含有することを特徴とする、圧電磁器組成物。

IPC (4件)：

C04B 35/495 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H03H 9/17

FI (5件)：

H03H 9/17 A ,  C04B 35/00 J ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/18 101 J

Fターム (19件)：

4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA11 ,  4G030AA12 ,  4G030AA13 ,  4G030AA14 ,  4G030AA20 ,  4G030AA25 ,  4G030AA37 ,  4G030AA43 ,  4G030BA10 ,  4G030GA09 ,  5J108BB05 ,  5J108CC04 ,  5J108GG03 ,  5J108KK01 ,  5J108KK02

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 特開昭52-118598
  
• 強誘電体薄膜キャパシタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-005772   出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
• ビスマス系層状ペロブスカイト焼結体およびその製造法並びにその用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-337488   出願人：東ソー株式会社
• 強誘電体材料およびこれを用いた強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-190945   出願人：ソニー株式会社
• セラミックス粉末及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-331522   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 圧電磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-156648   出願人：株式会社村田製作所
• 誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-197701   出願人：株式会社村田製作所