特許
J-GLOBAL ID：200903086317086773
ビスマス系層状ペロブスカイト焼結体およびその製造法並びにその用途
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-337488
公開番号（公開出願番号）：特開平10-226572
出願日： 1997年12月08日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】 スパッタ法により特性の優れたビスマス系層状ペロブスカイト強誘電体薄膜を得ることのできるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 Bi2XY2O9(X=Sr,Ba、Y=Ta,Nb)1モルに対して、0モル以上2モル以下のBiYO4(Y=Ta,Nb)および0モルを超え2モル未満のBi2O3を含んでなる相対密度95%以上の焼結体であり粒径3μm以下のBi2XY2O9粉末、粒径5μm以下のBiYO4粉末及びBi2O3粉末との混合粉末を900°C〜1400°Cで焼結することにより得られる。
請求項（抜粋）：
一般式:Bi2XY2O9(X=Sr,Ba、Y=Ta,Nb)で表される化合物1モルに対して、0モルを超え1モル未満のBi2O3を含んでなり、相対密度が95%以上である焼結体。
IPC (3件)：
C04B 35/495
, C23C 14/34
, H01B 3/12 318
C04B 35/00 J
, C23C 14/34 A
, H01B 3/12 318 G
