特許
J-GLOBAL ID：200903033628869244
半導体集積チップ及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊丹 勝
, 田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-270917
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091627
出願日： 2006年10月02日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】実用性及び量産性の高い3次元構造の半導体装置を得る。【解決手段】略四角形状の基板と、基板の一辺の端にワイヤーボンド接続のために配列された端子列と、基板の中心より前記端子列とは反対方向に偏心させた位置が中心となるよう形成した複数の平面インダクタからなる領域を備えた略同一形状の半導体集積チップを複数有し、半導体集積チップ間において、他の半導体集積チップにおける平面インダクタを介し情報通信を行うため、平面インダクタの上下の位置があわされ、隣接する半導体集積チップにおいて、前記端子列が交互に180度となるように上下に積層され、各々の前記端子列がワイヤーボンドにより接続され、電力を供給することを特徴とする半導体装置を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
略四角形状の基板と、
前記基板の一辺の端にワイヤーボンド接続のために配列された端子列と、
前記基板の中心より前記端子列とは反対方向に偏心させた位置が中心となるよう形成した複数の平面インダクタからなる領域と、
を備え、
前記平面インダクタは、電磁結合により基板における情報の入出力を行うものであることを特徴とする半導体集積チップ。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
