半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-010053
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203657
出願日： 2004年01月19日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】従来のチップ積層化による三次元ICの製造方法では、チップ間接続電極用のパッドを形成した複数のICチップをチップ間接続電極により接続するため、実装の際にチップ間の精度の高い位置合わせが必要である。また、チップ間接続電極形成のため、チップ間隔を広げることができず、内部チップの放熱が困難である。【解決手段】チップ間接続電極用のかわりに積層するICチップ上に平面インダクタを形成して、平面インダクタ間の電磁結合によってチップ間の配線接続のための無線信号伝達を実現する。また、平面インダクタともに容量を形成して、ICチップ上に共振回路を実現する。チップ間無線通信において、伝送周波数と共振周波数を等しくして、さらに符号間干渉を引き起こす不要な残留振動を抑えることで高速でビット誤りの生じないディジタル伝送を実現する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

平面インダクタを形成した複数の半導体集積回路チップを積層し、平面インダクタ間の電磁結合でチップ間の情報を伝達することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L25/065 , H01L21/822 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/04

FI (2件)：

H01L25/08 Z , H01L27/04 L

Fターム (5件)：

5F038AZ04 , 5F038CA12 , 5F038DF01 , 5F038EZ07 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体集積回路およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-078431 出願人：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-150756 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

審査官引用 (5件)

マルチチップモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-220361 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-047833 出願人：株式会社日立製作所
半導体チップの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-027133 出願人：日立マクセル株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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