特許
J-GLOBAL ID：200903033635722143
磁気素子、磁気メモリ装置、磁気抵抗効果ヘッド、磁気ヘッドジンバルアッセンブリ、及び磁気記録システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-256695
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156531
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】 強磁性トンネル接合を有する磁気素子において、磁気抵抗変化率の増大を図ると共に素子抵抗を低減し、さらに磁気抵抗変化率の電圧依存性を抑える。【解決手段】 保磁力をもつ強磁性体6と誘電体7との混合体からなり、誘電体7と体積にして同等以上の強磁性体6を含む強磁性体-誘電体混合層3と、誘電体層2、4とが交互に積層された層状構造を有する積層膜5を具備する磁気素子である。積層膜5中の強磁性体-誘電体混合層3には、誘電体層2を介して強磁性層1が近接配置されており、これら強磁性体-誘電体混合層3と強磁性層1との間にトンネル電流を流すと共に、これらのうち保磁力の小さい磁性層のスピンをスイッチさせることで磁気抵抗効果を発現させる。
請求項（抜粋）：
誘電体と、前記誘電体と同体積以上の強磁性体とを備える強磁性体-誘電体混合層と、前記強磁性体-誘電体混合層と積層された第一及び第二の誘電体トンネル障壁と、前記強磁性体-誘電体混合層と前記第一の誘電体トンネル障壁を介して近接配置された第1の強磁性層と、前記強磁性体-誘電体混合層と前記第二の誘電体トンネル障壁を介して近接配置された第2の強磁性層とを備えることを特徴とする磁気素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/08
, H01F 10/26
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/08
, H01F 10/26
